机构

• 半导体研究所 [15]

采集方式

• OAI收割 [15]

内容类型

• 专利 [15]

发表日期

• 2006 [1]

学科主题

• 光电子学 [8]
• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 微波光子晶体共面波导在高速光电子器件封装中的应用 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 伞海生; 黄亨沛; 刘宇; 祝宁华 收藏  |  浏览/下载：77/5  |  提交时间：2009/06/11 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/09/09 一种制作金属环绕型太阳电池的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19 朱洪亮; 黄永光; 朱小宁 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2014/11/17 在硅片上制作八边形微孔的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24 黄永光; 王熙元; 刘德伟; 朱小宁; 王宝军; 朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/10/28 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN201010175445.5, 公开日期: 2011-08-31 作者:  刘德伟;  张兴旺;  马丽;  黄永光;  朱小宁 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2011/08/31 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102280513A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 黄永光; 朱小宁; 刘德伟; 王熙元; 马丽; 朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/09/09 DP-16QAM硅基光调制器 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 李明; 黄宁博; 袁海庆; 刘宇; 祝宁华 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/09/22 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102227005A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2012/09/09 一种制作发射极环绕型太阳电池的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-17 朱洪亮; 朱小宁; 黄永光 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2014/11/17 单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09, 2013-10-09 作者:  刘建国;  郭锦锦;  黄宁博;  孙文惠;  祝宁华   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/11/17