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Study on the Electron Overflow in 264 nm AlGaN Light-Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2010, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 1854-1859
Zhang JC (张纪才); Sakai Y; Egawa T
收藏  |  浏览/下载:187/62  |  提交时间:2010/12/30