中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
苏州纳米技术与纳米仿... [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
专利 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [1]
2015 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
具有锥形背散射层的GaAs 薄膜太阳电池及其制备方法
专利
OAI收割
申请日期: 2018-01-09,
作者:
卢建娅,陆书龙,谭明
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2019/04/01
Study on photoluminescence properties of 1.05 eV InGaAsP layers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 17, 页码: 7
作者:
Yang, WX(杨文献)
;
Ji, L(季莲)
;
Dai, P(代盼)
;
Tan, M(谭明)
;
Wu, YY(吴渊源)
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2015/12/31
InGaAsP
molecular beam epitaxy
photoluminescence
carrier luminescence relaxation time