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Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101432850A, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 2009-05-13
作者:  
上田和正;  西川直宏;  笠原健司
  |  收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2020/01/18