机构

• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 专利 [1]

发表日期

• 2007 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法 专利  OAI收割 专利号: 200410053175.5, 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2011-09-07 作者:  1何力2陈路3巫艳4于梅芳5王元樟6吴俊7乔怡敏   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/09/07