机构

• 上海技术物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 专利 [2]

发表日期

• 2014 [1]
• 2012 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: 201210142488.2, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06 1孙瑞贇 2杨建荣 3魏彦锋 4张传杰 5孙权志 6陈倩男 7张娟 8陈晓静 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/01/06 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 专利  OAI收割 专利号: 201010565049.3, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14 作者:  1 张传杰 2 陈晓静 3 魏彦锋 4 杨建荣   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/01/14