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	碲镉汞材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的检测方法专利 OAI收割专利号: 200910198964.0, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14 作者: 1陆卫; 2马法君; 3李志锋; 4、陈效双; 5李宁 \| 收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2013/01/14
	碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法专利 OAI收割专利号: 200910198969.3, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07 作者: 1 叶振华 2 黄建 3 胡伟达 4 尹文婷5 林春 6 陈路 7 廖清君8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力 \| 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2011/07/07
	用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法专利 OAI收割专利号: 200410053175.5, 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2011-09-07 作者: 1何力2陈路3巫艳4于梅芳5王元樟6吴俊7乔怡敏 \| 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2011/09/07