中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助

条数/页： 排序方式：
Scalable laser with selectable divergence 专利  OAI收割
专利号: CA2866091A1, 申请日期: 2013-10-03, 公开日期: 2013-10-03
作者:  GESKE JONATHAN
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/30
High fill-factor efficient vertical-cavity surface emitting laser arrays 专利  OAI收割
专利号: US8537874, 申请日期: 2013-09-17, 公开日期: 2013-09-17
作者:  WANG, CHAD;  GESKE, JONATHAN
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26
High fill-factor efficient vertical-cavity surface emitting laser arrays 专利  OAI收割
专利号: US8537874, 申请日期: 2013-09-17, 公开日期: 2013-09-17
作者:  WANG, CHAD;  GESKE, JONATHAN
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26
Multi-wavelength vcsel array to reduce speckle 专利  OAI收割
专利号: WO2013116083A1, 申请日期: 2013-08-08, 公开日期: 2013-08-08
作者:  GESKE, JONATHAN;  WANG, CHAD;  BURKE, ELLIOT
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18
Serially interconnected vertical-cavity surface emitting laser arrays 专利  OAI收割
专利号: US20120051384A1, 申请日期: 2012-03-01, 公开日期: 2012-03-01
作者:  GESKE, JONATHAN C.;  WANG, CHAD SHIN-DEH;  MACDOUGAL, MICHAEL
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31
Wavelength selectable light source 专利  OAI收割
专利号: US20030231664A1, 申请日期: 2003-12-18, 公开日期: 2003-12-18
作者:  GESKE, JONATHAN CHARLES
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31
Multiple epitaxial region substrate and technique for making the same 专利  OAI收割
专利号: AU2002320296A1, 申请日期: 2003-02-17, 公开日期: 2003-02-17
作者:  GESKE, JONATHAN;  JAYARAMAN, VIJAYSEKHAR
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13
Low-capacitance bond pads for high speed devices 专利  OAI收割
专利号: EP1226607A1, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2002-07-31
作者:  PETERS, FRANK, A.;  GESKE, JONATHAN
  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18
Wavelength division multiplexed array of long-wavelength vertical cavity lasers 专利  OAI收割
专利号: US6341137, 申请日期: 2002-01-22, 公开日期: 2002-01-22
作者:  JAYARAMAN, VIJAYSEKHAR;  GESKE, JONATHAN;  PETERS, FRANK
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
Multiple epitaxial region substrate and technique for making the same 专利  OAI收割
专利号: WO2003012832A2, 公开日期: 2003-02-13
作者:  GESKE, JONATHAN;  JAYARAMAN, VIJAYSEKHAR
  |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26