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A method of producing a semi-conducteur device having a disordered superlattice 专利  OAI收割
专利号: EP0319207B1, 申请日期: 1992-07-29, 公开日期: 1992-07-29
作者:  MURAKAMI, TAKASHI C/O MITSUBISHI DENKI K. K.;  OTAKI, KANAME C/O MITSUBISHI DENKI K. K.;  KUMABE, HISAO C/O MITSUBISHI DENKI K. K.
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