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• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of excitation power and temperature on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 OPTICS EXPRESS, 2012, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 3932 Wang, HN; Ji, ZW; Qu, S; Wang, G; Jiang, YZ; Liu, BL; Xu, XG; Mino, H 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  DISORDERED SEMICONDUCTORS  SHIFT  LUMINESCENCE  ABSORPTION  SIMULATION  EMISSION  DENSITY