机构

• 苏州纳米技术与纳米仿... [2]

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• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2012 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5 作者:  S. M. Zhang（张书明）;  H. Yang(杨辉) 收藏  |   Thermal characterization of GaN-based laser diodes by forward-voltage method 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 9, 页码: 094513 作者:  H. B. Wang（王怀兵）;  J. P. Liu（刘建平）;  S. M. Zhang（张书明）;  H. Yang(杨辉) 收藏  |