机构

• 福建物质结构研究所 [1]
• 海洋研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 专利 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]
• 2010 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料及其制备和应用 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN201110290535.3, 申请日期: 2012-06-20, 公开日期: 2012-06-20 作者:  王毅 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2014/08/04 一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料  M3+为Al3+  M2+/M3+的摩尔比为1.6～4.5  0.2≤x≤0.4。  其特征在于：所述水滑石材料化学组成通式为[M2+1?xM3+x(OH)2]x+(C16H17N2O4S?)x·nH2O  Cr3+  M2+为Mg2+  Fe3+  Zn2+  V3+  Ni2+  Co3+  Fe2+或Mn2+的二价金属离子  Ga3+或Ti3+的三价金属离子   Synthesis and Characterization of Nanocrystalline GaN by Ammonothermal Method Using CsNH2 as Mineralizer 期刊论文  OAI收割 Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 9, 页码: 5741-5745 W. W. Lin, J. Huang, D. G. Chen, Z. Lin, W. Li, J. K. Huang and F. Huang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/11/02 Ammonothermal  GaN  Mineralizer  Nanocrystals  CsNH2  gallium nitride  doped gan  crystal-growth  quantum dots  temperature  route  (ga(nh)(3/2))(n)  ferromagnetism  nanoparticles  conversion