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中能碳离子束辐射百脉根突变体库创制及花瓣衰老延迟突变体机理研究 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学;中国科学院近代物理研究所, 2018
作者:  
骆善伟
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用量子分子动力学模型研究中能重离子碰撞中的核物质约化粘滞系数 期刊论文  OAI收割
核技术, 2014, 期号: 10, 页码: 84-92
周铖龙; 马余刚; 方德清; 张国强; 曹喜光
收藏  |  浏览/下载:67/0  |  提交时间:2015/03/13
利用同位旋相关的BUU模型研究重离子核反应中的动力学偶极模式 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2014
叶绍强
收藏  |  浏览/下载:61/0  |  提交时间:2015/03/13
中能重离子微束辐照装置 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
盛丽娜
  |  收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2011/06/29
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
统计模型中的同位旋标度现象及相关实验初探 学位论文  OAI收割
博士, 上海应用物理研究所: 中国科学院上海应用物理研究所, 2008
苏前敏
收藏  |  浏览/下载:54/0  |  提交时间:2012/04/11
从CsCl靶中分离I、Ba和Ce的化学流程 期刊论文  OAI收割
科学技术与工程, 2008, 卷号: 2008, 期号: 06, 页码: 1538-1540+1549
丁华杰; 徐岩冰; 杨维凡; 袁双贵; 卢希庭
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2010/10/29
中能中离子碰撞中的同位素标度 学位论文  OAI收割
2007
郝焕锋
  |  收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2010/01/24
我国成功进行重离子束治癌临床试验 期刊论文  OAI收割
科学通报, 2007, 卷号: 2007, 期号: 07, 页码: 759
岳海奎
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2010/10/29