机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 反应离子刻蚀铝中nMOS器件的等离子充电损伤 期刊论文  OAI收割 电子工业专用设备, 2005, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 6，43-47,64 作者:  李俊峰;  杨建军;  钟兴华;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/05/26 等离子充电损伤  栅隧穿漏电流  阈值vt漂移  亚阈值特性  天线比（ar）