机构

• 力学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2023 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2023, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 977-984 作者:  章宇;  陈诺夫;  张芳;  余雯静;  胡文瑞   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2024/01/11 SiC  湿法腐蚀  贯穿型位错  位错密度  位错缺陷分布