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短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
高性能计算机曙光4000A的网格使能特征 期刊论文  OAI收割
计算机研究与发展, 2004, 卷号: 41.0, 期号: 012, 页码: 2079
作者:  徐志伟;  孟丹;  孙凝晖
  |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2023/12/04
CIMS环境下信息集成平台──系统使能器技术的研究与应用 期刊论文  OAI收割
计算机学报, 1995, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 296-303
作者:  李贵;  尹朝万;  郑怀远
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/29
机械行业CIMS(计算机集成制造系统)体系结构 会议论文  OAI收割
中国福建厦门, 1994
作者:  陈惠仁;  牛孟渔;  薛劲松;  邹荃孙
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/30
CIMS环境下的使能器技术及其应用 期刊论文  OAI收割
计算机应用研究, 1994, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 12-14
作者:  李贵;  尹朝万;  郑怀远
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/29
用单片机的字幕图像迭加系统 期刊论文  OAI收割
电子技术, 1992, 期号: 10, 页码: 4-7
吴志勇
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/11