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	聚合物太阳能电池器件热稳定性的研究进展期刊论文 OAI收割应用化学, 2015, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 2017-01-17 作者: 李自东; 赵晓礼; 杨小牛收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2017/01/20 聚合物太阳能电池光敏层形貌热稳定性器件性能
	硫属铋系纳米结构材料合成及光电性质学位论文 OAI收割博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2015, 2015 作者: 李仁雄 \| 收藏 \| 浏览/下载：46/0 \| 提交时间：2015/05/11 硫属铋系纳米材料纳米复合材料低温光敏局域光电流接触势垒荧光淬灭不对称电极对器件阶梯状带阶分布场效应晶体管硫属铋系纳米材料纳米复合材料低温光敏局域光电流接触势垒荧光淬灭不对称电极对器件阶梯状带阶分布场效应晶体管
	短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者: 宁锦华 \| 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。
	芯—壳结构复合纳米颗粒期刊论文 OAI收割物理, 2002, 卷号: 031 作者: 阚彩侠; 蔡伟平; 张立德 \| 收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2020/11/25 芯－壳结构复合纳米可控光学特性共振吸收纳米光电子器件合成光敏器件纳米光子学
	无触点式节能照明控制电路期刊论文 OAI收割电工技术, 1997, 期号: 03, 页码: 34 于桂珍; 于江蛟收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2013/03/11 控制电路:4402 光敏电阻:4269 大功率半导体器件:3452 节能照明:3398 无触点:3066 光导效应:2904 光照射:2821 暗电流:2276 光电导器件:2106 高电阻率:1871
	光敏器件及粘度自动测量仪期刊论文 OAI收割仪表技术与传感器, 1995, 期号: 2, 页码: 28-30 马跃廷收藏 \| 浏览/下载：229/6 \| 提交时间：2010/12/30 光敏器件光电转换粘度自动测试仪