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OAI收割 [16]
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学位论文 [7]
期刊论文 [6]
会议论文 [3]
发表日期
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2018 [4]
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2011 [1]
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学科主题
药物化学 [2]
红外探测材料与器件 [1]
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共16条,第1-10条
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旋流式气液分离器结构优化及试验研究
期刊论文
OAI收割
中国石油和化工标准与质量, 2025, 卷号: 45, 期号: 03, 页码: 61-63+70
作者:
王胜
;
郑春峰
;
张曜之
;
张会琴
;
史仕荧
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提交时间:2025/03/31
气液分离器
数值模拟
结构优化
带压试验
分离规律
三相溶剂系统在逆流色谱中的分离规律研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2022
作者:
景俊贤
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2023/10/10
逆流色谱,三相溶剂,油橄榄叶,分离规律
三相溶剂系统在逆流色谱中的分离规律研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2022
作者:
景俊贤
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2023/10/10
逆流色谱,三相溶剂,油橄榄叶,分离规律
羌塘高原高寒草地植物-土壤系统沿气候梯度的变化及对围栏封育的响应
学位论文
OAI收割
中国科学院地理科学与资源研究所: 中国科学院地理科学与资源研究所, 2018
作者:
马维玲
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提交时间:2023/07/17
生物多样性-生产力关系
生物量分配
生态网络
广义加性模型
结构方程模型
青藏高原
气候变化
高寒草地生态系统氮循环
环境梯度
功能群多样性
生态位重叠和分离
氮同位素组成
高寒草原
氮素添加
剪草模拟放牧
植物-土壤氮库
植物与土壤微生物氮素竞争
氮素运移规律
太行山区
森林植被类型
水源涵养
综合蓄水能力
甲磺酸多黏菌素E_2组分的色谱分离及质谱裂解规律研究
期刊论文
OAI收割
质谱学报, 2018, 卷号: 39, 期号: 06, 页码: 653-662
作者:
刘丹
;
李亮
;
刘彩
;
陈笑艳
;
钟大放
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提交时间:2019/01/08
超高效液相色谱-电喷雾-四极杆-飞行时间质谱(UPLC-Q-TOF MS)
甲磺酸多黏菌素E2
色谱分离
裂解规律
甲磺酸多黏菌素e2组分的色谱分离及质谱裂解规律研究
期刊论文
OAI收割
质谱学报, 2018, 卷号: 039, 期号: 006, 页码: 653
作者:
刘丹
;
李亮
;
刘彩
;
陈笑艳
;
钟大放
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2020/07/01
超高效液相色谱-电喷雾-四极杆-飞行时间质谱(UPLC-Q-TOF
MS)
甲磺酸多黏菌素E2
色谱分离
裂解规律
甲磺酸多黏菌素E 2组分的色谱分离及质谱裂解规律研究
期刊论文
OAI收割
质谱学报, 2018, 卷号: 39.0, 期号: 006, 页码: 653
作者:
刘丹
;
李亮
;
刘彩
;
陈笑艳
;
钟大放
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提交时间:2020/12/24
超高效液相色谱-电喷雾-四极杆-飞行时间质谱(UPLC-Q-TOF
MS)
甲磺酸多黏菌素E2
色谱分离
裂解规律
反应诱导相分离形貌调控规律研究
会议论文
OAI收割
中国广西桂林, 2016-11-01
作者:
米亚策
;
周炜清
;
张荣月
;
苏志国
;
马光辉
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提交时间:2020/01/02
聚合物材料
形貌
演化规律
富集相
反应诱导相分离
分散度
Cu-Sn-Bi偏晶合金宏观尺度核壳结构的形成与稀土掺杂的影响规律
会议论文
OAI收割
2011中国材料研讨会, 中国北京, 2011-05-17
李建强
;
马炳倩
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/09/29
偏晶合金:7736
Cu-Sn-Bi:6167
核壳结构:1432
宏观偏析:130
功能复合材料:117
自组装:93
影响规律:68
液相分离:65
稀土掺杂:58
混溶:55
宏观尺度:39
形成机理:38
金属液滴:16
凝固路径:14
液滴半径:14
凝固界面:10
重力:8
铜模:7
双金属:7
应用价值:6
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。