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浏览/检索结果: 共16条,第1-10条 帮助

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旋流式气液分离器结构优化及试验研究 期刊论文  OAI收割
中国石油和化工标准与质量, 2025, 卷号: 45, 期号: 03, 页码: 61-63+70
作者:  
王胜;  郑春峰;  张曜之;  张会琴;  史仕荧
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2025/03/31
三相溶剂系统在逆流色谱中的分离规律研究 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2022
作者:  
景俊贤
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2023/10/10
三相溶剂系统在逆流色谱中的分离规律研究 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2022
作者:  
景俊贤
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2023/10/10
羌塘高原高寒草地植物-土壤系统沿气候梯度的变化及对围栏封育的响应 学位论文  OAI收割
中国科学院地理科学与资源研究所: 中国科学院地理科学与资源研究所, 2018
作者:  
马维玲
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2023/07/17
甲磺酸多黏菌素E_2组分的色谱分离及质谱裂解规律研究 期刊论文  OAI收割
质谱学报, 2018, 卷号: 39, 期号: 06, 页码: 653-662
作者:  
刘丹;  李亮;  刘彩;  陈笑艳;  钟大放
  |  收藏  |  浏览/下载:74/0  |  提交时间:2019/01/08
甲磺酸多黏菌素e2组分的色谱分离及质谱裂解规律研究 期刊论文  OAI收割
质谱学报, 2018, 卷号: 039, 期号: 006, 页码: 653
作者:  
刘丹;  李亮;  刘彩;  陈笑艳;  钟大放
  |  收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2020/07/01
甲磺酸多黏菌素E 2组分的色谱分离及质谱裂解规律研究 期刊论文  OAI收割
质谱学报, 2018, 卷号: 39.0, 期号: 006, 页码: 653
作者:  
刘丹;  李亮;  刘彩;  陈笑艳;  钟大放
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2020/12/24
反应诱导相分离形貌调控规律研究 会议论文  OAI收割
中国广西桂林, 2016-11-01
作者:  
米亚策;  周炜清;  张荣月;  苏志国;  马光辉
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2020/01/02
Cu-Sn-Bi偏晶合金宏观尺度核壳结构的形成与稀土掺杂的影响规律 会议论文  OAI收割
2011中国材料研讨会, 中国北京, 2011-05-17
李建强; 马炳倩
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2013/09/29
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。