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	废弃贝壳负载纳米Cu2O复合光催化材料及制备和应用专利 OAI收割专利类型: 发明, 专利号: CN201010281703.8, 申请日期: 2012-07-11, 公开日期: 2012-07-11 作者: 李红收藏 \| 浏览/下载：39/0 \| 提交时间：2014/08/04 废弃贝壳负载纳米Cu2O复合光催化材料经固液分离其特征在于：其制备过程如下超声波洗涤向由NaCl和十二烷基苯磺酸钠组成的热力学稳定微反应体系中加入CuCl和高温活化的贝壳粉蒸馏水冲洗持续搅拌脱水干燥后利用活化贝壳粉的发达孔隙和碱度使一价铜盐水解并紧密负载于贝壳粉表面合成纳米Cu2O/贝壳复合光催化材料。
	短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者: \| 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。
	一种适用于栉孔扇贝的四倍体制备方法专利 OAI收割专利类型: 发明, 专利号: CN200410050306.4, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2006-03-01 阙华勇; 张国范; 张福绥收藏 \| 浏览/下载：39/0 \| 提交时间：2014/08/04 1.一种适用于栉孔扇贝的四倍体制备方法 2)获取受精卵：分别催产雄贝和雌贝获取精子和卵子 3)诱导加倍：在水温18～20℃下 4)培育幼体：在水温18～20℃下 5)筛选四倍体：采用流式细胞术逐个分析幼贝其特征在于包括如下过程：1)选择亲本：选取自然栖息的二倍体栉孔扇贝经人工同步授精获取受精卵利用化学诱导剂处理受精卵使其染色体数目从二倍体加倍至四倍体按常规方法培育诱导出的胚胎和幼虫筛选获得四倍体。性腺发育饱满成熟受精卵密度在10～50万粒/L 受精后10～15min开始处理直至幼虫变态为幼贝然后进行诱导加倍处理时间15～20min 用海水漂洗受精卵利用筛绢网过滤去除药物
	由不同碳源合成及制备纳米碳管的进展期刊论文 OAI收割新型炭材料, 2003, 期号: 4, 页码: 250-264 王茂章,李峰,杨全红,成会明收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2012/04/12 纳米碳管合成制备和过程碳源