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	一种引力波探测用高灵敏度四象限光电探测器期刊论文 OAI收割半导体光电, 2021, 卷号: 42, 期号: 02, 页码: 174-178 作者: 崔大健; 李星海; 余沛玥; 陈扬; 任丽 \| 收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2021/08/25 四象限光电探测器引力波 InGaAs PIN 等效噪声功率密度跨阻放大器
	光镊光阱刚度影响因素的理论与实验研究学位论文 OAI收割北京: 中国科学院大学, 2019 作者: 曹志良 \| 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2019/06/17 光镊电磁散射模型 T矩阵光阱刚度四象限探测器功率谱密度柱矢量光束
	太赫兹超导热电子混频器和相变边缘探测器特性研究学位论文 OAI收割上海: 上海师范大学, 2017 作者: 郭晓辉 \| 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2017/10/11 太赫兹超导热电子混频器超导相变边缘探测器铁基薄膜接触电极噪声温度噪声等效功率
	太赫兹超导相变边缘探测器特性研究学位论文 OAI收割博士: 中国科学院大学, 2014 钟家强收藏 \| 浏览/下载：81/0 \| 提交时间：2014/12/04 太赫兹超导相变边缘探测器直接检波器响应率噪声等效功率
	博士论文-大亚湾反应堆中微子实验中心探测器的光学模型及其应用学位论文 OAI收割博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 作者: 夏冬梅收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2015/10/12 大亚湾实验中心探测器光学模型液闪衰减长度温度效应反应堆功率涨落
	短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者: 宁锦华 \| 收藏 \| 浏览/下载：32/0 \| 提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。
	基于低温辐射计的陷阱探测器红外绝对光功率响应度的定标期刊论文 OAI收割量子电子学报, 2009, 卷号: 026 作者: 卢云君; 郑小兵; 李健军; 张伟; 谢萍 \| 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2020/10/26 遥感红外定标陷阱探测器绝对光功率响应度温度稳定性
	硕士论文-次谐波聚束系统功率源幅相监测的实现学位论文 OAI收割硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2008 作者: 李贺收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2015/10/12 次谐波聚束系统功率探测器动态校准相位噪声数字I/Q鉴相法锁相采样
	锑化铟红外探测器二氧化硅钝化膜中氢含量的分析期刊论文 OAI收割激光与红外, 1988, 期号: 4, 页码: 30-33 作者: 刘世杰; 吴越; 谢葆珍; 李春瑛; 耿小敏收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2015/12/25 红外探测器锑化铟钝化膜氢含量淀积射频功率氦离子等离子体增强腐蚀速率氢原子