机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2007 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 具有加长LDD结构的高压CMOS器件 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 7,246_252 作者:  杜寰;  王晓慧;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/26 高压cmos器件  加长ldd结构  击穿电压