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Φ300mm平面标准镜高精度支撑关键技术 期刊论文  OAI收割
激光与光电子学进展, 2015, 期号: 09, 页码: 279-285
作者:  
方斌;  田伟;  王汝冬;  朱岩;  张永凯
收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2016/07/06
槽缝型缺陷参考平面对高速信号的影响研究 期刊论文  OAI收割
半导体光电, 2013, 期号: 3, 页码: 510-515+520
作者:  
杨海峰;  周睿;  李梅
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2016/11/01
新疆天文台 GPS 与VLBI 本地连接测量 期刊论文  OAI收割
中国科技成果, 2013, 期号: 4, 页码: 42-45
作者:  
张阿丽;  熊福文;  朱文耀
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2016/07/06
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
圆周SAR共焦三维成像原理与方法研究 学位论文  OAI收割
硕士, 电子学研究所: 中国科学院电子学研究所, 2008
吴雄峰
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2011/07/19
圆周SAR共焦三维成像原理与方法研究 学位论文  OAI收割
硕士, 电子学研究所: 中国科学院电子学研究所, 2008
吴雄峰
收藏  |  浏览/下载:102/0  |  提交时间:2011/07/19
实用电子稳像技术原理及方法 期刊论文  OAI收割
光机电信息, 2003, 期号: 02, 页码: 29-31
王明佳; 金光; 钟平; 张炜
收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2013/03/11
脉冲注入锁定染料激光器的光束参数选择和模式匹配 期刊论文  OAI收割
激光技术, 1989, 期号: 05, 页码: 45-51
张铁军
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2013/03/11
相对论框架里的时间尺度 期刊论文  OAI收割
天文学进展, 1989, 期号: 1, 页码: 43-51
黄天衣; 许邦信; 张挥; 朱进
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2012/07/09