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丁酸甲酯与HO2自由基反应化学动力学研究 会议论文  OAI收割
2015年中国工程热物理学会燃烧学学术年会, 2015
作者:  
陈沁雪;  张李东;  张鹏
收藏  |  浏览/下载:79/0  |  提交时间:2015/12/31
正丁烷着火动力学模型分析 会议论文  OAI收割
中国工程热物理学会-燃烧学, 2013
于亚薇; 钟北京
收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2013/11/29
华北典型农作物秸秆燃烧动力学特性分析 会议论文  OAI收割
中国工程热物理学会, 2012
刘联胜; 苟湘; 孟哲; 帖青敏; 陈运启; 高彦华
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2013/03/21
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
厌氧折流板反应器(ABR)中成熟颗粒污泥的分形分析 期刊论文  OAI收割
环境科学学报, 2008, 卷号: 1, 期号: 4, 页码: 647-658
姜潇; 王毅力; 张桐; 魏科技; 石宝友; 王东升
收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2015/04/16
电池相互作用对浸出速率影响的理论分析 期刊论文  OAI收割
化工冶金, 1987, 期号: 02, 页码: 32-39
作者:  
龚亚军;  龚乾;  陈家镛
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2014/08/27
近地面大气层硫酸盐污染的研究 期刊论文  OAI收割
环境化学, 1985, 期号: 5, 页码: 28-34
作者:  
苏维瀚;  张秋彭;  宋文质;  罗超;  路洪荣
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2015/12/25
中子活化分析中各元素之间的相关性——R矩阵的计算 期刊论文  OAI收割
北京师范大学学报(自然科学版), 1984, 期号: 3, 页码: 59-68
作者:  
冯锡璋;  罗世华;  季国坤;  江泳;  徐颖璞
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2015/12/25
转炉型渣中硫挥发速率的初步研究 期刊论文  OAI收割
科学通报, 1963, 期号: 07
潘鴻芳; 鄒元爔
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2012/04/30
转炉型渣中硫挥发速率的初步研究 期刊论文  OAI收割
科学通报, 1963, 期号: 07
潘鴻芳; 鄒元爔
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2012/04/19