机构

• 上海技术物理研究所 [7]
• 长春光学精密机械与物... [3]
• 长春应用化学研究所 [3]
• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [14]

内容类型

• 学位论文 [7]
• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2018 [1]
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学科主题

• 红外探测材料与器件 [7]

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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 溶液法制备有机-无机杂化钙钛矿薄膜的研究进展 期刊论文  OAI收割 化工进展, 2018, 卷号: 037 -   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/10/26 制备  微观形貌调控  太阳能  器件效率  界面   纳米金刚石及其复合材料的制备和场发射 期刊论文  OAI收割 2016 作者:  王维彪;  梁静秋;  梁中翥;  曾乐勇;  夏玉学   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/09/17 纳米金刚石  场发射  高分辨透射电镜  石墨烯  高真空  硅衬底  特性测试  扫描电镜  器件制备   新型高效有机太阳电池研究取得新进展 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 2014, 期号: 6, 页码: 1401-1401 - 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/12/15 有机太阳电池  有机太阳能电池  批量化生产  湿法加工  器件性能  器件制备  给体   一维氧化锌纳米结构生长及器件制备研究进展 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2011, 期号: 10, 页码: 837-849 作者:  赵东旭 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/03/11 ZnO  一维纳米结构  制备方法  光电子器件   平面型GaN基紫外探测器的制备与性能研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  包西昌   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/09/11 平面型gan基紫外探测器  器件制备  离子注入  电容特性  负微分电容   氮化镓基肖特基光电器件的研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  储开慧   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/09/11 Gan基肖特基器件  器件制备  电容特性  真空紫外   纳米间隙电极的制备及应用 期刊论文  OAI收割 微纳电子技术, 2010, 卷号: 47, 期号: 1, 页码: 50-63 董晓东; 张柏林; 夏勇 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/06/07 纳米间隙电极  分子电子学  分子器件  制备  应用   短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  宁锦华   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。   GaN/AlGaN紫外探测器的制备与光电特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  陈亮   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/08/22 Gan/algan  Icp刻蚀  器件制备  量子效率   电化学方法制备原子尺度间隙的Au隧道结过程研究 期刊论文  OAI收割 高等学校化学学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1424-1427 董晓东; 张柏林; 夏勇; 朱果逸 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/04/14 电化学制备  量子线  隧道结  分子电子器件  金