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挥发性溴代消毒副产物在不同水处理工艺过程中的变化 期刊论文 OAI收割
环境工程学报, 2017, 期号: 10, 页码: 5351-5358
作者: 许美佳; 王海亮; 李春梅; 徐雄; 王东红

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挥发性溴代消毒副产物自来水厂常规处理工艺深度处理工艺

不同水处理工艺的混凝效果比较 期刊论文 OAI收割
净水技术, 2014, 卷号: 1, 期号: 2, 页码: 57-60
蒋海燕; 王彦文; 杜彦鹏; 徐慧

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微涡旋反冲洗水回流絮体沉降性分形维数常规工艺

自来水常规和深度处理工艺中挥发性有机物的变化规律 期刊论文 OAI收割
环境科学, 2013, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 4642-4648
陈锡超; 罗茜; 陈虎; 魏孜; 王子健; 许科文

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连云港挥发性有机物消毒副产物深度处理工艺常规处理工艺

北方某饮用水厂处理单元中消毒副产物的行为研究 会议论文 OAI收割
河南省化学会2012年学术年会, 中国河南开封, 2012-07-01
作者: 王万峰; 于建伟; 潘峰; 杨敏

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消毒副产物处理单元预氯化三卤甲烷预加氯卤乙酸氯胺过滤工艺常规处理工艺 THMs

离子液体的非常规制备技术研究进展 期刊论文 OAI收割
化工进展, 2012, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 1861-1870
作者: 夏春谷; 陈静; 李臻

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离子液体 ultrasound 非常规技术 microreactor process 微波辅助超声波微反应工艺 ionic liquid non-conventional techniques microwave assistant

短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 宁锦华

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由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。

A/DAT-IAT工艺处理城市污水的生态安全调控 期刊论文 OAI收割
应用生态学报, 2009, 期号: 5, 页码: 1209-1213
作者: 朱爽; 华涛; 周启星; 吴琼

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A/DAT-IAT工艺生态毒性正交试验根伸长常规指标

基于生态安全的DAT-IAT城市污水处理工艺改进研究 期刊论文 OAI收割
环境工程学报, 2009, 期号: 9, 页码: 1567-1572
作者: 朱爽; 华涛; 周启星; 范亚维; 吴琼

收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2016/12/06

DAT-IAT工艺 A/DAT-IAT工艺絮凝生态毒理指标常规指标

DAT-IAT工艺处理城市污水的生态风险评估 期刊论文 OAI收割
环境科学, 2009, 期号: 2, 页码: 391-395
作者: 朱爽; 华涛; 周启星

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生态风险 DAT-IAT工艺常规水质指标种子发芽根伸长抑制率

用亚温淬火改善40NiCrMo钢的氢脆敏感性 期刊论文 OAI收割
金属热处理, 1987, 期号: 12, 页码: 17-20
余百年

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亚温淬火:6942 氢脆敏感性:4984 热处理工艺:2222 常规热处理:2129 屈服强度:2007 含氢量:1969 扩散氢:1664 正火:1540 正电子湮没:1514 断口形貌:1457