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机构
金属研究所 [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
学位论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [1]
1989 [1]
学科主题
微电子学 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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4H-SiC快速外延生长研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
刘斌
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浏览/下载:104/0
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提交时间:2015/06/02
4H-SiC
碳化硅
快速外延生长
Fast Epitaxial Growth
激光表面熔覆Fe 基、Ni基和Co基合金涂层的显微结构
期刊论文
OAI收割
材料科学进展, 1989, 期号: 3, 页码: 225-229
姜明,江晓平,黄建国,孙晓峰,葛云龙,胡壮麒
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/04/12
激光
快速熔凝
外延生长
亚结构
枝晶组织