中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
广州能源研究所 [3]
重庆绿色智能技术研究... [1]
上海技术物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
学位论文 [1]
发表日期
2017 [2]
2016 [2]
2009 [1]
学科主题
红外探测材料与器件 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
生物质成型燃料压缩机理的国内外研究现状
期刊论文
OAI收割
新能源进展, 2017, 卷号: 5, 期号: 4, 页码: 286-293
作者:
李伟振
;
姜洋
;
阴秀丽
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2018/12/21
生物质成型燃料
压缩机理
木质素
成型参数
研究现状
biomass molding fuel
compression mechanism
lignin
molding parameters
research situation
成型参数对桉树加工剩余物成型颗粒品质影响的实验研究
期刊论文
OAI收割
太阳能学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 900-905
作者:
姜洋
;
李伟振
;
蒋恩臣
;
王功亮
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2018/12/21
桉树剩余物
颗粒品质
成型参数
密度
eucalyptus residue
quality of eucalyptus residue pellet
molding parameter
density
基于正交实验的铝瓶盖冲压成型参数优化
期刊论文
OAI收割
机械设计与制造, 2016, 期号: 9, 页码: 210-213
作者:
王瑞
;
石明全
;
肖建军
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2018/03/16
工艺参数
正交试验
数值模拟
拉深成型
瓶盖
生物质压缩成型机理研究进展
期刊论文
OAI收割
可再生能源, 2016, 期号: 10, 页码: 1525-1532
作者:
李伟振
;
姜洋
;
王功亮
;
阴秀丽
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2017/12/31
成型燃料
原料成分
影响参数
成型模型
热转变特性
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。