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氮氧化铝透明陶瓷制备及其光学性能 学位论文  OAI收割
中国科学院光电技术研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  李海龙
  |  收藏  |  浏览/下载：162/0  |  提交时间：2022/07/01
一种最大限度提升熔融沉积3D打印点阵材料力学性能的方法 会议论文  OAI收割
中国浙江杭州, 2019年8月25-28日
作者:  刘文峰;  宋宏伟;  黄晨光
  |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/11/21
粉末冶金Ti-5Al-2.5Sn合金的致密化行为及性能 会议论文  OAI收割
中国有色金属工业协会钛锆铪分会2011年会, 2011
徐磊; 邬军; 刘羽寅等
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2014/01/09
合金元素对17wt.%Cr铁素体不锈钢组织和性能的影响 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院金属研究所, 2010
李丽坤
收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2013/04/12
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
Y-Si-O 系三元氧化物陶瓷的制备与性能 学位论文  OAI收割
博士, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2009
孙子其
收藏  |  浏览/下载：240/0  |  提交时间：2012/04/10
氧化锆基纳米复相陶瓷的设计、制备及其力学性能和摩擦学性能研究 学位论文  OAI收割
理学博士: 中国科学院研究生院, 2008
作者:  张永胜
收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2013/04/26
MBER土壤固化剂固土机理及成型技术研究 学位论文  OAI收割
博士, 陕西: 中国科学院研究生院, 2006
樊恒辉
收藏  |  浏览/下载：393/0  |  提交时间：2011/09/01
贮氢合金负极的动力学性能 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2005
花均社  
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/03/06
金属液的长寿命定氧测头 期刊论文  OAI收割
钢铁, 1994, 期号: 10, 页码: 53-56
作者:  唐裕华，李福，刘庆国
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2014/08/27