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质子转移反应飞行时间质谱的建立与性能研究
期刊论文
OAI收割
大气与环境光学学报, 2019, 卷号: 014
作者:
梁渠
;
张亚婷
;
张强领
;
邹雪
;
陈美玲
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2020/11/23
质子转移反应飞行时间质谱
阈值电压
分辨率
挥发性有机物
典型烟煤中游离态母体及烷基多环芳烃的含量和组成特征
期刊论文
OAI收割
地球化学, 2017, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 358-366
作者:
孙溶
;
陈颖军
;
韩勇
;
田崇囯
;
李军
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/07/07
PAHs extraction yield
parent PAHs
alkylated PAHs
composition characteristic
volatile matter content
PAHs可抽提率
母体多环芳烃
烷基多环芳烃
组成特征
挥发分含量
基于二次电喷雾电离离子迁移率谱的痕量有机挥发性气体检测方法研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院电子学研究所, 2017
王禹
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/06/30
离子迁移率谱
二次电喷雾电离
痕量
有机挥发性气体
检测
典型烟煤的分子结构及模型模拟的初步研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:
孙溶
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浏览/下载:142/0
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提交时间:2017/06/23
PAHs可抽提率,母体多环芳烃,烷基多环芳烃,组成特征,挥发分含量,分子结构,模型模拟
金矿氰化尾渣氯化焙烧的技术研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
刘洪晓
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2018/06/07
氰化尾渣
氯化挥发
挥发率
吸收率
V2O5/TiO2催化剂催化氧化氯代芳烃的机理研究
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院, 2013
王健
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浏览/下载:91/0
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提交时间:2014/06/26
在工业烟气中
高氯代苯
当NH3-SCR反应与氯苯催化氧化共存时
(2)V2O5/TiO2催化剂催化氯苯的作用机理为:a氯苯发生亲核取代
b表面酚盐物种进一步氧化成邻苯二酚盐和对苯二酚盐物种
c苯二酚盐物种进一步氧化形成苯醌
d苯醌发生分解
(3)O2浓度提高有利于催化氧化反应的进行
向氯苯催化体系中引入NH3-SCR反应后
NH3与氯苯之间发生竞争吸附
氯苯
催化
SCR
机理
常见的氯代芳烃污染物有氯苯
多氯联苯和二恶英可归于持久性有机污染物(POPs)
探索了其影响氯苯催化反应的过程和机制。 本论文得出以下结论: (1)V2O5/TiO2催化剂对苯
在催化剂表面形成表面酚盐物种
即环状结构得到破坏形成马来酸
H2O的引入对催化反应有抑制作用
NO的存在对氯苯催化有促进作用
导致氯苯催化转化率下降。 本论文的研究工作为V2O5/TiO2催化剂在工业烟气催化降解氯代芳烃领域的应用提供了实验和理论依据。 关键词:V2O5/TiO2
氯酚
虽然含量低
苯酚
醋酸以及醛类物质
促进作用来源于NO与催化剂作用形成的表面NO2物种和硝酸盐物种
多氯联苯以及二恶英。其中
但毒性巨大
氯苯
并进一步氧化生成CO
但由于高温时催化剂表面硝酸盐物种减少使这种促进作用变得微弱
氯苯
严重危害人体健康
1
CO2
1
污染生态环境。 催化氧化法是去除工业烟气中氯代芳烃污染最为有效的方法之一。本文使用V2O5/TiO2催化剂
3-二氯苯和1
H2O和HCl最终完成氯苯的催化氧化过程
2二氯苯和1
针对苯
3
3-二氯苯符合挥发性有机化合物(VOCs)的定义
苯酚
5-三氯苯催化氧化机制是类似的
具有很强的挥发性
氯苯
Cl官能团数量增加
1
催化反应活性降低
3-二氯苯
1
3
5-三氯苯进行了活性评价和原位红外研究
提出了氯代芳烃催化降解过程中的具体步骤
并对苯环上不同官能团以及Cl官能团数量对于催化过程的具体影响进行了探索。另外
研究了烟气中复杂组分对氯苯催化氧化过程的影响
氯化挥发法综合处理含金高铁硫酸烧渣的研究
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院, 2012
丁剑
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浏览/下载:95/0
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提交时间:2013/09/25
硫酸烧渣
氯化挥发
金
挥发率
氧化球团
铜基氧载体化学链氧解耦燃烧特性:煤中挥发分和反应温度的影响
会议论文
OAI收割
中国工程热物理学会, 2012
梅道锋
;
赵海波
;
马兆军
;
方彦飞
;
杨伟进
;
郑楚光
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/03/21
化学链氧解耦
挥发分的影响
平均转化率
CO2捕集率
燃烧效率
氯化焙烧回收高铁硫酸烧渣中有价金属的实验研究
期刊论文
OAI收割
计算机与应用化学, 2012, 期号: 03, 页码: 255-261
作者:
陈运法
;
陈运法
;
陈运法
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2014/08/27
硫酸渣
氯化挥发
金属回收
挥发率
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。