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• 学位论文 [10]
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发表日期

• 2019 [3]
• 2018 [1]
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• 2009 [2]
• 2008 [1]
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学科主题

• 红外探测材料与器件 [3]
• 红外基础研究 [2]
• 光电子学 [1]
• 高能物理实验 [1]

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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 高效热活化延迟荧光OLED和近红外光探测器及其集成上转换发光器件研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019 作者:  宋乔刚   |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2020/08/24 非掺杂  热活化延迟荧光发光二极管  n型阳极缓冲层  近红外光探测器  上转换发光器件   γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究 期刊论文  OAI收割 红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 192-199 作者:  王志铭;  周东;  郭旗;  李豫东;  文林   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/11/18 碲镉汞(HgCdTe)光伏器件  红外探测器  辐射效应  γ射线  暗电流   γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究 期刊论文  OAI收割 红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 192-199 作者:  王志铭;  周东;  郭旗;  李豫东;  文林   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/03/19 碲镉汞(HgCdTe)光伏器件  红外探测器  辐射效应  γ射线  暗电流   基于III-V半导体纳米线光电探测器件的研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者:  张凯   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/06/04 Iii-v族半导体  纳米线  光电探测器  表面钝化  柔性器件   基于石墨烯纳米条带阵列的光电探测器模型 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2017, 期号: 3, 页码: 334-337+395 作者:  黄绍春;  申钧;  周红;  叶嗣荣   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2018/03/16 石墨烯纳米条带阵列  光电探测器  器件模型   平面型GaN基紫外探测器的制备与性能研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  包西昌   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/09/11 平面型gan基紫外探测器  器件制备  离子注入  电容特性  负微分电容   太赫兹波的探测及其通信演示 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2010 谭智勇 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2012/03/06 太赫兹波探测  太赫兹量子阱探测器  太赫兹器件表征  太赫兹通信   短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  宁锦华   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。   子载波间隔自适应OFDM系统研究 期刊论文  OAI收割 电信科学, 2009, 期号: 08 贾国庆; 熊勇; 杨秀梅 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 量子通信  单光子探测  超导纳米线单光子  探测器件  动态电感   基于高温超导SQUID的低场核磁共振研究 会议论文  OAI收割 第十届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会, 2008 邱隆清; 张懿; 谢晓明 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/01/18 高温超导 射频量子干涉效应器件 低场核磁共振 信号探测器 谱线宽度 自旋耦合谱