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学科主题

• 传感器 [1]
• 多相流数理模型和数值... [1]
• 红外探测材料与器件 [1]

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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 中子慢化器低温及真空性能测试系统设计 期刊论文  OAI收割 真空科学与技术学报, 2019, 卷号: 039 作者:  周能涛;  吴杰峰;  丁开忠;  胡春明;  林力   |  收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2020/11/23 超高真空  低温测试  加热器  流量控制器  低温气体   基于CLSVOF模型的气泡生成行为研究 会议论文  OAI收割 2015年中国工程热物理学会多相流学术年会, 南京, 2015 作者:  闫红杰;  李晓萱;  王茜茜;  郑文燕;  刘柳 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/01/13 气泡生成  CLSVOF  接触角  气体流量  物性参数   基于模型的超声波气体流量计渡越时间测量方法研究 会议论文  OAI收割 2014年中国工程热物理学会, 2014-11 姜燕丹; 王保良; 黄志尧; 冀海峰; 李海清 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2014/12/10 超声波气体流量计  渡越时间测量  数学模型  参数拟合   用于光气动探测的微流量传感器制备及其特性研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 赵永翠 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/06/09 非色散红外+光气动探测+微流量传感器+气体检测   RP-3型航空煤油荧光光谱研究 会议论文  OAI收割 第十二届全国物理力学学术会议, 中国广西桂林, 2012-11-12 作者:  张少华;  余西龙;  陈立红;  张新宇 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2014/04/02 碳氢燃料  空气当量  航空煤油  超燃  荧光光谱  国产煤  燃烧流场  RP-  0总气体流量  油荧光  实验系统  0中煤  0PLIF  关系表达式  高温高压  激光光强  油类  定量研究  不变的  实时监测  0   有限长度的过渡领域三维微槽道流动 会议论文  OAI收割 第七届全国流体力学学术会议, 中国广西桂林, 2012-11-12 作者:  蒋建政;  樊菁 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/04/02 质量流率  微槽道  三维  气体流动特性  动理学理论  微机电系统  质量守恒  压力分布  质量流量  微管道  矩形截面  模拟结果  Poiseuille  典型截面  流动的  DSMC  截面形状  流动速度分布  拟合公式  圆截面   底吹氩过程LF炉盖内气体流动的数值模拟 期刊论文  OAI收割 特殊钢, 2010, 期号: 02, 页码: 10-13 作者:  储莹;  郭汉杰;  杨学民 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/08/27 210 t LF  氩气流量  盖内气体流动  数值模拟   一种基于MEMS技术的谐振式气体微流量传感器的设计与制造 学位论文  OAI收割 硕士, 电子学研究所: 中国科学院电子学研究所, 2009 郭然 收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2011/07/19 微机械电子系统  气体微流量传感器  电磁激励  静电激励  湿法腐蚀  有限元仿真   一种基于MEMS技术的谐振式气体微流量传感器的设计与制造 学位论文  OAI收割 硕士, 电子学研究所: 中国科学院电子学研究所, 2009 郭然 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2011/07/19 微机械电子系统  气体微流量传感器  电磁激励  静电激励  湿法腐蚀  有限元仿真   短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  宁锦华   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。