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发表日期

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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 物理形变类长周期光纤光栅的制作及应用研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院大学, 2019 作者:  孔旭东   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/23 光纤光学  物理形变类长周期光纤光栅  光轨道角动量  光纤设计和制作  扭力传感器  波长选择耦合器   深海噬菌体NrS-1 DNA聚合酶结构和功能研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所), 2019 作者:  郭豪杰   |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2021/12/16 引发酶-聚合酶双功能蛋白  N300晶体结构  DNA引发酶  底物特异性选择机制  单波长反常散射   基于DMD的近红外光谱仪的研究 期刊论文  OAI收割 红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 06, 页码: 432-440 作者:  王莹;  刘华;  李金环;  陆子凤;  许家林   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2020/08/24 近红外光谱仪  数字微镜器件  波长标准化  模版选择   基于高阶共振模式的金属表面等离子体增强型ZnO紫外探测器的制备和研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018 作者:  王潇   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/09/23 ZnMgO  表面等离极化激元  MBE  波长选择性  日盲探测器   MOEMS集成波长选择开关的设计及研究 期刊论文  OAI收割 微纳电子技术, 2017, 页码: 597-604+626 作者:  时建;  梁静秋;  陈成;  吕金光;  秦余欣   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/04/09 波分复用  波长选择开关  微光机电系统(Moems)  光通信  电磁驱动   基于亚波长相位调制结构材料的电控扫描天线研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 作者:  潘文波 收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2015/07/29 亚波长电磁结构  频率选择表面  传输阵列  移相  动态  电控扫描天线   微纳光通信器件与系统 成果  OAI收割 吉林省技术发明奖: 三等奖, 2014 梁静秋; 王维彪; 梁中翥; 秦余欣; 田超; 崔乃迪; 吕金光; 陈松 收藏  |  浏览/下载：141/0  |  提交时间：2015/02/12 光通信  MOEMS  波长信道选择  双面反射棱镜光开关  光子晶体  波导   非均匀膨胀与收缩下反射体全息光栅衍射特性分析 期刊论文  OAI收割 中国激光, 2014, 期号: 2, 页码: 141-148 何天博; 巴音贺希格; 齐向东; 李文昊; 唐玉国 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/04/17 光栅  反射体全息光栅  衍射特性  非均匀膨胀或收缩  膨胀因子  角度和波长选择性   多元散射校正和逐步回归法建立黑土有机碳近红外光谱定量模型 期刊论文  OAI收割 农业系统科学与综合研究, 2010, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 174-180 申艳; 张晓平; 梁爱珍; 时秀焕; 范如芹; 杨学明 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26 近红外  多元散射校正  多元逐步回归  波长选择   短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  宁锦华   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。