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微电子研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2008 [2]
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共2条,第1-2条
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新型金属源/漏工程新进展
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 6,524-529
作者:
尚海平
;
徐秋霞
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提交时间:2010/05/27
Mosfet
短沟道效应
金属源/漏
金属硅化物 肖特基势垒调节
肖特基势垒源/漏
源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 6,1007-1012
作者:
韩郑生
;
宋文斌
;
许高博
;
曾传滨
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提交时间:2010/05/27
绝缘体上硅soi
Esd
源漏硅化物
二次击穿
导通电阻
栅接地nmos器件