中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
合肥物质科学研究院 [4]
工程热物理研究所 [2]
国家天文台 [1]
南京天文光学技术研究... [1]
上海技术物理研究所 [1]
近代物理研究所 [1]
更多
采集方式
OAI收割 [10]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2019 [2]
2017 [1]
2016 [1]
2015 [1]
2013 [1]
2012 [1]
更多
学科主题
天文技术与方法 [1]
红外探测材料与器件 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
多镜筒望远镜中间块热-结构耦合分析与优化设计
期刊论文
OAI收割
机械设计与研究, 2019, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 106-110
作者:
余易
;
王国民
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2020/02/03
多镜筒望远镜
中间块
拓扑优化
热-结构耦合分析
结构优化设计
多镜筒望远镜中间块热-结构耦合分析与优化设计
期刊论文
OAI收割
机械设计与研究, 2019, 卷号: 35.0, 期号: 002, 页码: 106
作者:
余易
;
王国民
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2021/12/06
多镜筒望远镜
中间块
拓扑优化
热-结构耦合分析
结构优化设计
强流RF离子源研制及初步实验
期刊论文
OAI收割
核聚变与等离子体物理, 2016, 卷号: 036
作者:
顾玉明
;
胡纯栋
;
谢亚红
;
谢远来
;
李军
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2020/10/26
RF离子源
等离子体发生器
结构设计
热流固耦合分析
槽式太阳能集热管热-结构耦合瞬态特性分析
会议论文
OAI收割
2015年中国工程热物理学会热力学学术年会, 2015
作者:
吴俊杰
;
侯宏娟
;
杨勇平
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2016/01/14
槽式太阳能集热器
热应力
数值模拟
热-结构耦合分析
槽式太阳集热管热应力分析
会议论文
OAI收割
中国工程热物理学会-工程热力学与能源利用, 2013
吴俊杰
;
侯宏娟
;
杨勇平
;
罗娜
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2013/11/28
槽式太阳集热器
热应力
数值模拟
热-结构耦合分析
烘烤工况下的ITER中子屏蔽块整体结构分析
期刊论文
OAI收割
真空科学与技术学报, 2012, 期号: 2, 页码: 128-131
作者:
王开松
;
冯昌乐
;
徐杨
;
宋云涛
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/07/07
国际热核聚变实验堆
中子屏蔽块
烘烤
整体结构分析
热-结构耦合分析
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。
ITER CTB盒冷屏的支撑结构与传热耦合分析
期刊论文
OAI收割
核聚变与等离子体物理, 2009, 卷号: 000
-
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2020/10/26
ITER
CTB盒
球支撑
结构设计
漏热分析
接触结构-热耦合