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机构
半导体研究所 [3]
国家授时中心 [2]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
学位论文 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2018 [3]
2011 [2]
学科主题
半导体器件 [2]
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共5条,第1-5条
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InGaAs单光子雪崩光电二极管研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
曹思宇
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2018/05/28
雪崩光电二极管
理论与仿真分析
电荷层
隧穿效应
单光子雪崩光电二极管
InGaAs单光子雪崩光电二极管研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
曹思宇
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提交时间:2018/06/04
雪崩光电二极管
理论与仿真分析
电荷层
隧穿效应
单光子雪崩光电二极管
InGaAs单光子雪崩光电二极管研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
曹思宇
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/06/01
关键词:雪崩光电二极管
理论与仿真分析
隧穿效应
单光子雪崩光电二极管
多普勒效应对伪距影响的分析与验证
会议论文
OAI收割
第二届中国卫星导航学术年会, 中国上海, 2011
李孝辉
;
许龙霞
;
薛艳荣
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提交时间:2012/10/19
伪距
卫星导航
多普勒效应|Abstract
在伪距测量误差修正中
多普勒效应引起的伪距测量误差是经常被忽视的一个因素
分析了多普勒效应引起伪距测量误差的原因
接收到的测距码多普勒偏移会引起码长的变化
虽然一个码片长度变化不大
但大量码片的累计却不能忽略。对于高精度的应用
必须考虑对多普勒效应的改正。通过仿真试验分析了伪距误差与多普勒效应的关系
用某颗卫星一天的实测数据对分析结果进行了验证
理论分析与实测数据相关度为90.66%
充分证明了多普勒效应是伪距测量误差的一个影响因素。