机构

• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
• 高能物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 学位论文 [2]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2018 [1]
• 2017 [1]
• 2002 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 AlGaN基深紫外LED发光特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018 作者:  陈刚   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/03/28 AlGaN,深紫外发光二极管,多量子阱,电子泄漏,电流分布   GaN基激光器的研制及器件物理 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 - 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/06/01 GaN基激光器  电子泄漏  局域态  微分特性  GaAs基激光器   Build Axial Gradient Field by Using Axial Magnetized Permanent Rings 期刊论文  OAI收割 材料科学技术(英文版), 2002, 期号: 6, 页码: 483-484 作者:  彭全岭;Quanling;  PENG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/14 电子束  磁损耗  轴向磁化永久环  轴向梯度磁场  磁泄漏