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浏览/检索结果: 共11条,第1-10条 帮助

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一种高效电化学还原富集回收含铀废水和地下水中铀的方法 专利  OAI收割
专利号: CN108911102A, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2018-11-30
作者:  
栾富波;  刘添;  孟颖
  |  收藏  |  浏览/下载:34/0  |  提交时间:2019/11/27
不同升温模式下冻土地区装配式基础热稳定性研究 期刊论文  OAI收割
地震工程学报, 2013, 期号: 04, 页码: 877-884
陈赵育; 李国玉; 穆彦虎; 俞祁浩; 毛云程
收藏  |  浏览/下载:41/0  |  提交时间:2014/12/19
基于能量回馈和注入补偿的直流有源滤波器设计 期刊论文  OAI收割
高电压技术, 2013, 卷号: 39
作者:  
王磊;  曹现峰
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/11/23
基于仿真的航测相机伺服系统设计 期刊论文  OAI收割
仪器仪表用户, 2012, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 17-20
作者:  
付婷;  张礁;  杨辉
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2016/11/01
稳态强磁场装置电源系统并联直流有源滤波器的实现新方案 期刊论文  OAI收割
核聚变与等离子体物理, 2011, 卷号: 031
作者:  
王磊;  刘小宁
  |  收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2020/10/26
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
减压热等离子体特性研究 会议论文  OAI收割
第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会会议, 中国辽宁大连, 2009-07-20
作者:  
吴承康;  陈熙;  孟显;  潘文霞
收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2014/02/20
稳态强磁场电源直流有源滤波技术方案的分析 期刊论文  OAI收割
高电压技术, 2008, 卷号: 034
作者:  
王磊;  刘小宁
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2020/10/26
稳态强磁场电源直流有源滤波器研究 期刊论文  OAI收割
核聚变与等离子体物理, 2008, 卷号: 028
作者:  
王磊;  刘小宁
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/10/26
电荷灵敏放大器不用反馈高值电阻的新方法 期刊论文  OAI收割
核电子学与探测技术, 1993, 期号: 4, 页码: 195-201+212
作者:  
席德明
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2015/12/21