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石墨炉原子吸收法快速测定聚醚酮酮特种高分子材料中铝离子残留 期刊论文  OAI收割
分析化学, 2014, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 1702-1705
梅朋; 徐俊俊; 郭俊芳; 段太成
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2015/12/15
残留钠离子对 Co /SiO2 材料结构及乳酸酯加氢反应的影响 期刊论文  OAI收割
分子催化, 2013, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 10-15
作者:  
薛晶晶;  崔芳;  黄志威;  陈静;  夏春谷
收藏  |  浏览/下载:36/0  |  提交时间:2014/01/06
高分辨率离子迁移率谱系统及其在药物残留检测中的应用研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
李澍
收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2012/06/14
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
毛细管区带电泳技术快速分离检测爆炸残留物中的无机离子 期刊论文  OAI收割
色谱, 2008, 卷号: 1, 期号: 6, 页码: 667-671
冯俊鹤; 郭宝元; 林金明; 徐建中; 周红; 孙玉友; 刘耀; 权养科; 鲁晓明
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2015/04/15
离子色谱法检测土制硝铵氯化炸药爆炸残留物中的氯酸根 期刊论文  OAI收割
刑事技术, 2008, 卷号: 1, 期号: 3, 页码: 42069
陈承现; 李仁勇; 周革荣; 梁立娜
收藏  |  浏览/下载:36/0  |  提交时间:2015/04/15
咪唑喹啉酸在大豆田中的残留分析研究 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2007
陈旭艳
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2010/06/24
离子色谱自动进样器塑料小瓶残留离子的检测 期刊论文  OAI收割
环境与健康杂志, 2006, 卷号: 1, 期号: 6, 页码: 546-548
顾文奎; 刘肖; 刘京生
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2015/05/14
L-脯-L-亮-甘氨酰胺的合成 期刊论文  OAI收割
医药工业, 1983, 期号: 03, 页码: 3-5
作者:  
张鸿良;  华家柽
  |  收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2019/01/08