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石墨炉原子吸收法快速测定聚醚酮酮特种高分子材料中铝离子残留
期刊论文
OAI收割
分析化学, 2014, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 1702-1705
梅朋
;
徐俊俊
;
郭俊芳
;
段太成
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提交时间:2015/12/15
聚醚酮酮
铝离子残留
石墨炉原子吸收光谱法
残留钠离子对 Co /SiO2 材料结构及乳酸酯加氢反应的影响
期刊论文
OAI收割
分子催化, 2013, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 10-15
作者:
薛晶晶
;
崔芳
;
黄志威
;
陈静
;
夏春谷
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提交时间:2014/01/06
Co/SiO2 催化材料
残留钠离子
乳酸酯
加氢
1,2-PDO
Co/SiO2 catalyst
sodium effect
ethyl lactate
hydrogenolysis
高分辨率离子迁移率谱系统及其在药物残留检测中的应用研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
李澍
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2012/06/14
高分辨率离子迁移率谱系统
电喷雾离化
抗生素残留检测
双相不溶三相液相微萃取
毒麻精类药品残留检测
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。
毛细管区带电泳技术快速分离检测爆炸残留物中的无机离子
期刊论文
OAI收割
色谱, 2008, 卷号: 1, 期号: 6, 页码: 667-671
冯俊鹤
;
郭宝元
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林金明
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徐建中
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周红
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孙玉友
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刘耀
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权养科
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鲁晓明
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提交时间:2015/04/15
毛细管区带电泳
间接紫外检测
无机离子
爆炸残留物
离子色谱法检测土制硝铵氯化炸药爆炸残留物中的氯酸根
期刊论文
OAI收割
刑事技术, 2008, 卷号: 1, 期号: 3, 页码: 42069
陈承现
;
李仁勇
;
周革荣
;
梁立娜
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2015/04/15
离子色谱
爆炸尘土
爆炸残留物
硝酸根
氯酸根
咪唑喹啉酸在大豆田中的残留分析研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2007
陈旭艳
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提交时间:2010/06/24
咪唑喹啉酸 残留分析 高效液相色谱 强阴离子交换住 大豆 土壤 Imazaquin residue analysis LC-UV SAX Soil Soybeans
离子色谱自动进样器塑料小瓶残留离子的检测
期刊论文
OAI收割
环境与健康杂志, 2006, 卷号: 1, 期号: 6, 页码: 546-548
顾文奎
;
刘肖
;
刘京生
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2015/05/14
色谱法
离子交换
离子残留
自动进样器塑料小瓶
浸泡
L-脯-L-亮-甘氨酰胺的合成
期刊论文
OAI收割
医药工业, 1983, 期号: 03, 页码: 3-5
作者:
张鸿良
;
华家柽
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提交时间:2019/01/08
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