机构

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内容类型

• 期刊论文 [18]
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发表日期

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浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 可变几何因子静电分析器的研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院国家空间科学中心, 2019 作者:  苏斌   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/13 空间热等离子体  静电分析器  几何因子  矩参数计算  误差分析   基于激光诱导击穿光谱技术检测分析原铝中硅、铁元素含量 期刊论文  OAI收割 光谱学与光谱分析, 2019, 卷号: 39, 期号: 10, 页码: 3164-3171 作者:  路辉;  胡晓军;  曹斌;  马靓;  李猛   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/14 激光诱导击穿光谱  原铝  硅、铁元素含量  表面微观分析  等离子体参数   EUV观测的等离子体层顶位形统计研究 期刊论文  OAI收割 2016 作者:  杜沛珩;  张效信;  何飞;  蒋勇   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/09/17 地磁指数  等离子体层顶  太阳风参数  非线性多参数拟合   飞秒强激光脉冲与团簇相互作用的实验研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2013 作者:   收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2016/11/28 飞秒强激光脉冲  气体团簇  库仑爆炸  等离子体参数  离子能谱  团簇尺寸和尺寸分布   氢电弧加热发动机能量转化过程比较研究 会议论文  OAI收割 中国工程热物理学会传热传质学学术会议, 上海, 2010-10-9~2010-10-10 作者:  耿金越;  王海兴;  陈熙;  潘文霞;  Wang HX 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/01/12 电弧加热发动机  等离子体  工作参数  能量转化  数值模拟   EAST装置放电预测的初步研究 期刊论文  OAI收割 核聚变与等离子体物理, 2010, 卷号: 000 作者:  刘成岳;  陈美霞;  吴斌;  宋逢泉   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/11/25 EAST装置  放电模拟  预测研究  初步研究  tokamak  等离子体电流  物理实验  位置控制  演化过程  线圈电流  托卡马克  模拟结果  模拟程序  控制系统  可预测性  参数  波形  实验前  极向场  场控制   EAST装置放电预测的初步研究 期刊论文  OAI收割 核聚变与等离子体物理, 2010, 卷号: 000 作者:  刘成岳;  陈美霞;  吴斌;  宋逢泉   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2020/11/25 EAST装置  放电模拟  预测研究  初步研究  tokamak  等离子体电流  物理实验  位置控制  演化过程  线圈电流  托卡马克  模拟结果  模拟程序  控制系统  可预测性  参数  波形  实验前  极向场  场控制   短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  宁锦华   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。   柱形等离子体天线性能和噪声机制的研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院, 2008 梁志伟 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2014/04/30 柱形等离子体天线  表面波  动态重构  天线参数  噪声温度   柱形等离子体天线的基本原理、天线中谐波与非线性效应研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院, 2007 赵国伟 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2014/04/30 表面波  等离子体  天线参数  数值计算  FDTD  数据采集