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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种在空间等离子体环境中建立探测器参考电位的技术与实验系统设计 学位论文  OAI收割 : 中国科学院国家空间科学中心, 2019 作者:  李晓明   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/12/13 空间等离子体  探测器  参考电位  FPGA   磁阻尼对探测器火星降落过程的动力学效应 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院空间科学与应用研究中心, 2015 作者:  洪波 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/11/12 火星  磁阻尼  探测器  磁偶极场  等离子体   量子级联红外探测器及其应用研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 翟慎强 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2014/06/03 量子级联探测器  甚长波  表面等离子体耦合  红外成像  高频响应   高能核物理前沿:探寻夸克—胶子等离子体 期刊论文  OAI收割 现代物理知识, 2013, 期号: 5, 页码: 27-34 马余刚 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2014/06/13 等离子体:5255  奇异夸克:3773  探测器:3683  夸克胶子物质:2924  强相互作用:2805  椭圆流:2659  反物质:2585  物质形态:2273  宇宙大爆炸:2240  粘滞系数:2048   嫦娥一号卫星太阳风离子探测器离子流量反演太阳风参数与初步结果分析 期刊论文  OAI收割 空间科学学报, 2013, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 143-150 王馨悦; 张爱兵; 孔令高; 张贤国; 任琼英; 王世金; H. Réme 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2014/04/30 嫦娥一号(Chang'E-1)  太阳风离子探测器  月球  太阳风  等离子体   金属膜电阻型辐射热探测器在EAST上的应用 期刊论文  OAI收割 核电子学与探测技术, 2013, 卷号: 033 -   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/10/26 托卡马克  等离子体  辐射热探测器  载频放大器   基于SIMION软件的空间等离子体探测器的数值仿真 期刊论文  OAI收割 中国空间科学技术, 2012, 卷号: 32, 期号: 4, 页码: 71-76 作者:  孔令高;  张爱兵;  王世金;  孙越强;  郑香脂 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2014/12/15 空间等离子体探测器  柱形静电分析器  数值仿真   短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  宁锦华   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。   YH-1等离子体探测包地面检测设备设计与研制 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院, 2008 刘传军 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/04/30 等离子体探测器  地面检测设备  火星  FPGA  USB   基于30.4nm极紫外成像的WSZ探测器研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2006 王光明 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2011/10/09 等离子体  球面MCP  多阳极探测器  极紫外  WSZ多阳极面板