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基于低维结构的跨光谱高效锑化物红外探测器研究 学位论文  OAI收割
西安: 西安交通大学(光机所联合培养), 2019
作者:  
郭春妍
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宽动态范围红外积分球辐射源的设计与检测 期刊论文  OAI收割
光学学报, 2019, 卷号: 39
作者:  
张梦雅;  袁银麟;  翟文超;  孟凡刚;  夏茂鹏
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2020/11/25
红外超光谱干涉光谱仪探测器高阶非线性响应研究 期刊论文  OAI收割
光学学报, 2018, 卷号: 038
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  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/10/26
星载多路短波红外探测器温控系统设计 期刊论文  OAI收割
大气与环境光学学报, 2018, 卷号: 013
作者:  
范慧敏;  张爱文;  胡亚东;  翁建文;  洪津
  |  收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2020/11/23
暗电流对短波红外偏振测量精度的影响 期刊论文  OAI收割
红外与激光工程, 2015, 卷号: 044
作者:  
胡亚东;  胡巧云;  孙斌;  王羿;  洪津
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2020/11/23
短波红外InGaAs探测器关键工艺技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  
李永富
  |  收藏  |  浏览/下载:36/0  |  提交时间:2012/09/11
高In组分InGaAs短波红外线列探测器技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
张可锋
  |  收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2012/08/22
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
基于低温辐射计的陷阱探测器红外绝对光功率响应度的定标 期刊论文  OAI收割
量子电子学报, 2009, 卷号: 026
作者:  
卢云君;  郑小兵;  李健军;  张伟;  谢萍
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/10/26
台面型InGaAs短波红外线列探测器技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:  
唐恒敬
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2012/08/22