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浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2023, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 977-984 作者:  章宇;  陈诺夫;  张芳;  余雯静;  胡文瑞   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2024/01/11 SiC  湿法腐蚀  贯穿型位错  位错密度  位错缺陷分布   工艺参数对选区激光熔化成型件致密度影响规律和孔隙缺陷形成机理研究 期刊论文  OAI收割 激光杂志, 2018, 卷号: 39, 期号: 07, 页码: 68-71 作者:  阮亮;  安超;  张远明;  张金松;  吕东喜   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/12/04 选区激光熔化  致密度  孔隙缺陷  钴铬合金   两步旋涂沉积条件对钙钛矿薄膜形貌和电池性能的影响研究 期刊论文  OAI收割 功能材料, 2017, 卷号: 048 作者:  李欣杭;  周国庆;  潘国兴;  李田;  张发培   |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2020/11/23 钙钛矿太阳电池  两步旋涂法  形貌  溶剂  缺陷密度   单壁碳纳米管改变手性外延生长的密度泛函理论研究（英文） 期刊论文  OAI收割 新型炭材料, 2016, 期号: 5, 页码: 525-531 谌为; 李峰; 刘畅; 尹利长 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/12/28 单壁碳纳米管  手性变化  5~7缺陷  外延生长  密度泛函理论   锕系碳化物和氟化物材料的电子结构和成键特性的理论研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2015 作者:  王昌英   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/08/22 密度泛函理论  碳化钍  二碳化钍  锕系四氟化物  缺陷  成键特性   金属裂变产物在核石墨上的吸附和扩散的理论研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海应用物理研究所）, 2015 作者:  夏冬琴 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2015/12/09 密度泛函理论  缺陷石墨  金属裂变产物  电子结构  扩散性质   优质宽厚板制备技术与装备 会议论文  OAI收割 2014年钢锭制造技术与管理研讨会, 中国河南洛阳, 2014 胡小强; 刘宏伟 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/05/08 密度偏析  等离子加热  浇注系统设计  保护浇注  充型  质量水平  卷渣  断面收缩率  延伸率  缺陷控制   博士论文-稀磁半导体与铁基超导体的第一性原理研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者:  周靖 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2015/10/12 密度泛函理论  稀磁半导体  铁基超导体  缺陷   压力致ⅣB族金属omega-beta相变及稀土元素合金化对alpha-Ti影响的第一原理研究 学位论文  OAI收割 硕士, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2009 卢松 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2012/04/10 第一原理  钛合金  弹性稳定性  成键电荷密度  态密度  点缺陷间相互作用   NiTi形状记忆合金相变过程的正电子湮没研究 期刊论文  OAI收割 低温物理学报, 2006, 期号: 3, 页码: 236-241 邓文; 胡益丰; 岳丽; 郝文博; 黄乐; 黄宇阳; 熊良钺 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/12 NiTi合金  微观缺陷  电子密度  马氏体相变  正电子湮没