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低温离子渗氮对16Cr3NiWMoVNb齿轮钢摩擦学性能的影响 期刊论文 OAI收割
材料研究与应用, 2023, 卷号: 17, 期号: 01, 页码: 118⁃124
作者: 赵宝奇; 高凯雄; 张斌

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16Cr3NiWMoVNb 齿轮钢磨损率腐蚀性能等离子渗氮表面硬度摩擦因数

多羟基超分散剂对水性环氧涂层防腐性能的影响 期刊论文 OAI收割
中国腐蚀与防护学报, 2023, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 289-300
作者: 袁世成; 吴艳峰; 徐长慧; 王兴奇; 冷哲

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dispersant waterborne epoxy water absorption corrosion electrochemical impedance spectroscopy 分散剂水性环氧吸水率腐蚀电化学阻抗谱

304不锈钢在氯化钠溶液中的磨损腐蚀研究 会议论文 OAI收割
2015年中国工程热物理学会多相流学术年会, 南京, 2015
作者: 曾子华; 周芳; 姚军; 尹昊; 赵彦琳

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氯离子浓度温度 304不锈钢冲蚀腐蚀率

压缩变形纳米多孔金电化学驱动性能研究 期刊论文 OAI收割
金属学报, 2014, 期号: 2, 页码: 252-258
叶兴龙; 刘枫; 金海军

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纳米多孔金脱合金腐蚀电化学驱动压缩孔隙率

CO_2探测仪星上定标铝漫反射板的制备与试验 期刊论文 OAI收割
中国光学, 2013, 期号: 04, 页码: 591-599
作者: 郑玉权; 蔺超; 王龙

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CO2探测仪化学腐蚀铝漫反射板半球反射率相对双向反射分布函数

7475铝合金薄壁管时效工艺及应力腐蚀性能研究 期刊论文 OAI收割
轻合金加工技术, 2013, 期号: 3, 页码: 54-56
李海宏; 刘振伟; 董超芳

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7475铝合金电导率时效显微组织应力腐蚀

超声辅助电沉积叠层镍膜及其耐腐蚀性能研究 期刊论文 OAI收割
腐蚀科学与防护技术, 2013, 期号: 2, 页码: 110-114
牛云松; 于志明

收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2013/12/25

超声电沉积叠层膜镍耐腐蚀性能孔隙率

轴向填充率渐变型二维光子晶体 期刊论文 OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1112-1119
作者: 梁静秋; 梁中翥

收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2013/03/11

二维光子晶体轴向填充率渐变电化学腐蚀

钢筋在氯氧镁水泥中的腐蚀行为与防腐措施研究 学位论文 OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院, 2011
李成栋

收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2015/04/07

氯氧镁水泥钢筋涂层达克罗环氧树脂改性沥青电化学腐蚀钢筋锈蚀率交流阻抗阳极极化曲线

短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 宁锦华

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收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2012/08/22

由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。