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丛枝菌根增强植物抗旱性分子机理研究(博士后)
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
李涛
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2017/07/12
Am真菌
共生体系建立
Am Fungi
基因组对比分析
Symbiotic Establishment
抗性基因
Comparative Genomics
甘油跨膜通道
Stress-responsive Genes
Ar/r结构域
Aquaglyceroporin
甘油运输
Aromatic/arginine Constriction
定点突变
Glycerol Transport
脱落酸
Point Mutation
抗旱性
Abscisic Acid
基因调控
Drought Tolerance
玉米
Gene Regulation
Maize
羧基终端的烷链自组装单层膜表面纳米水层的理论研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2016
作者:
郭盼
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2016/12/16
生物分子表面水
羧基自组装单层膜
内嵌水
内嵌水-羧基复合结构
浸润性
电解抛光态690TT合金在顺序溶氢/溶氧的高温高压水中表面氧化膜结构分析
期刊论文
OAI收割
金属学报, 2015, 期号: 1, 页码: 85-92
张志明
;
王俭秋
;
韩恩厚
;
柯伟
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2015/05/11
690TT合金
氧化膜
氢水化学
氧水化学
保护性微观结构
功能薄膜火焰法沉积中硼化合物助剂的影响
会议论文
OAI收割
第十七届全国高技术陶瓷学术年会, 中国江苏南京, 2012-09-19
作者:
陈运法
;
陈运法
;
陈运法
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2013/09/29
功能薄膜:9167
火焰法:3592
硼化合物:1689
形貌:295
助剂:218
薄膜材料:183
前驱物:98
超疏水:90
纳米力学:77
疏水化处理:73
薄膜沉积:20
膜层性能:14
自清洁:13
沉积膜:12
低温玻璃化:12
可控参数:12
性能与结构:9
常压:9
结构相关性:8
SEM:7
磷酸化影响捕光天线分子LHCll结构的分子动力学模拟
会议论文
OAI收割
第十届全国生物力学学术会议暨第十二届全国生物流变学学术会议, 中国四川成都, 2012-10-11
作者:
丁锦鸿
;
吕守芹
;
龙勉
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2014/04/02
分子动力学模拟
LHCll
0捕光天线
微观结构
磷酸化
吸收光
无机物
复合物
状态转换
相互作用
组装方式
合成有机物
亲和性的
构象分析
类囊体膜
光照条件
三聚体的
亚基
光系统
平衡模拟
电解抛光态690TT合金经不同时间浸泡后表面氧化膜结构分析
期刊论文
OAI收割
金属学报, 2011, 期号: 7, 页码: 831-838
张志明
;
王俭秋
;
韩恩厚
;
柯伟
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/04/12
690TT合金
电解抛光处理
浸泡时间
氧化膜
保护性结构
打磨态690TT合金经不同时间浸泡后表面氧化膜结构分析
期刊论文
OAI收割
金属学报, 2011, 期号: 7, 页码: 823-830
张志明
;
王俭秋
;
韩恩厚
;
柯伟
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2012/04/12
690TT合金
打磨处理
浸泡时间
氧化膜
保护性结构
[例14]微等离子体电解氧化技术及在汽车零部件上的应用
期刊论文
OAI收割
中国表面工程, 2010, 期号: 1, 页码: 2
杜克勤
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/04/12
微等离子体:5631
电解氧化技术:5293
氧化膜:3379
液相烧结:2382
阳极化反应:2273
微观结构:2132
纳米孔阵列:2059
耐蚀性:1799
结构可控:1750
相转化:1705
LAMOST子镜镀膜机的多点蒸发源结构设计
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
吕立冬
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2013/12/18
LAMOST 望远镜
大口径天文镜面
蒸发源
结构建模
真空镀铝
膜厚均匀性
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。