机构

• 新疆理化技术研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [1]
• 1986 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 总剂量辐照前后CMOS器件阈电压变化的统计分析 期刊论文  OAI收割 核技术, 2006, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 665-669 作者:  李爱武;  余学峰;  任迪远;  汪东;  匡治兵 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29 互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)器件  总剂量辐照  阈电压  统计   氧、氮杂质气体对漂移室讯号特性的影响 期刊论文  OAI收割 高能物理与核物理, 1986, 期号: 1, 页码: 112-115 作者:  王运永;  卢新华;  宣百辞;  谢佩佩;  马基茂 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/12/23 漂移室  杂质气体  计数率  能量分辨率  输出脉冲  分解率  阈电压  输气管道  工作气体  杂质浓度