机构

• 力学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Properties of high k gate dielectric gadolinium oxide deposited on Si(100) by dual ion beam deposition (DIBD) 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 21-29 作者:  Zhou JP;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Song SL 收藏  |  浏览/下载：788/43  |  提交时间：2009/08/03 Auger Electron Spectroscopy  Atomic Force Microscopy  Crystal Structures  X-Ray Photoelectron Spectroscopy  Ion-Beam Deposition  Oxides  4D Photoemission  High-Resolution  Thin-Films  Silicon  System  Gd2O3  Y2O3