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物理研究所 [2]
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OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2012 [1]
2010 [1]
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Intersubband absorption properties of high Al content AlxGa1-xN/GaN multiple quantum wells grown with different interlayers by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7, 页码: 1
Sun, HH
;
Guo, FY
;
Li, DY
;
Wang, L
;
Wang, DB
;
Zhao, LC
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提交时间:2013/09/18
MU-M
STRAIN RELAXATION
WAVELENGTH RANGE
GAN/ALGAN
SUPERLATTICES
GAN
TRANSITIONS
DISLOCATIONS
ALN/GAN
MOCVD
Growth and character stics of AlGaN/GaN HEMT structures with AlN/GaN superlattices as barrier layers
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 8, 页码: 5724
Ding, GJ
;
Guo, LW
;
Xing, ZG
;
Chen, Y
;
Xu, PQ
;
Jia, HQ
;
Zhou, JM
;
Chen, H
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提交时间:2013/09/17
2-DIMENSIONAL ELECTRON GASES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PIEZOELECTRIC POLARIZATION
ALN/ALGAN SUPERLATTICES
GA-FACE
HETEROSTRUCTURES
MOBILITY
SAPPHIRE
CHARGES