机构

• 半导体研究所 [2]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 学位论文 [3]

发表日期

• 2018 [1]
• 2016 [1]
• 2014 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 AlGaN基深紫外LED发光特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018 作者:  陈刚   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/03/28 AlGaN,深紫外发光二极管,多量子阱,电子泄漏,电流分布   宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 刘雅丽 收藏  |  浏览/下载：92/0  |  提交时间：2016/06/03 AlGaN/AlGaN 量子阱  GaN/AlN量子点  半导体金刚石  深紫外光致发光  激子-声子作用  激子局域化   Al(Ga)N材料光致发光性质研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014 王维颖 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2014/06/03 AlGaN  深紫外光致发光  高温热退火  GaN/AlGaN量子阱  界面粗糙  偏振特性