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Impacts of growth orientation and N incorporation on the interface-states and the electrical characteristics of Cu/GaAsN Schottky barrier diodes 期刊论文  OAI收割
Physica B: Condensed Matter, 2017, 卷号: 527, 页码: 52-56
作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Gao, Xin;  Yoshio Ohshita;  Han XX(韩修训)
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