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物理研究所 [1]
金属研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1995 [2]
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PHASE-TRANSITION AND ELECTRON LOCALIZATION IN 1T-TAS2
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 1995, 卷号: 52, 期号: 3, 页码: 1578
DAI, SY
;
YU, CT
;
LI, DH
;
SHEN, ZY
;
FANG, SY
收藏
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提交时间:2013/09/24
METAL-INSULATOR-TRANSITION
DENSITY-WAVE DOMAINS
HIGH MAGNETIC-FIELDS
CHARGE-DENSITY
DOPED 1T-TAS2
COEXISTENCE
MICROSCOPY
SYSTEMS
SILICON
2H-TAS2
PHASE-TRANSITION AND ELECTRON LOCALIZATION IN 1T-TAS2
期刊论文
OAI收割
Physical Review B, 1995, 卷号: 52, 期号: 3, 页码: 1578-1583
S. Y. Dai
;
C. T. Yu
;
D. H. Li
;
Z. Y. Shen
;
S. Y. Fang
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提交时间:2012/04/14
metal-insulator-transition
density-wave domains
high magnetic-fields
charge-density
doped 1t-tas2
coexistence
microscopy
systems
silicon
2h-tas2